Транзистор JT075N065WED от Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO) является силовым IGBT со встроенным диодом и является аналогом 75N065WED, предназначенным для работы в источниках питания, инверторах, преобразователях и других силовых электронных схемах. Высокое напряжение пробоя и мощность рассеивания позволяют эффективно управлять большими токами и обеспечивают надежную работу под нагрузкой.

Производитель: Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO)
Корпус: TO-247.Структура: IGBT + Diode
Схема соединения: одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 650 V
Напряжение затвор-эмиттер (Vge): ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C): 150 A
Макс. ток коллектора (100°C): 75 A
Макс. постоянный ток диода (25°C): 75 A
Время восстановления диода (25°C/tmax): 25,4/195 нс
Мощность рассеяния (Pd при 25°C): 539 W

Транзистор JT075N065WED используется в силовых преобразователях, инверторах, источниках питания и других высокоточных электронных схемах как надежная замена 75N065WED, обеспечивая эффективное управление мощностью и стабильную работу под нагрузкой.