Транзистор JT075N065WED від Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO) є силовим IGBT із вбудованим діодом і є аналогом 75N065WED, призначеним для роботи в джерелах живлення, інверторах, перетворювачах та інших силових електронних схемах. Висока напруга пробою та потужність розсіювання дозволяють ефективно керувати великими струмами та забезпечують надійну роботу під навантаженням.

Виробник: Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO)
Корпус: TO-247
Структура: IGBT + Diode
Схема з'єднання: одиночний
Макс. напруга колектор-емітер (Vce): 650 V
Напруга затвор-емітер (Vge): ±20 V
Макс. струм колектора (25°C): 150 A
Макс. струм колектора (100°C): 75 A
Макс. постійний струм діода (25°C): 75 A
Час відновлення діода (25°C / tmax): 25,4 / 195 нс
Потужність розсіювання (Pd при 25°C): 539 W

Транзистор JT075N065WED використовується в силових перетворювачах, інверторах, джерелах живлення та інших високострумових електронних схемах як надійна заміна 75N065WED, забезпечуючи ефективне керування потужністю та стабільну роботу під навантаженням.