WMJ80N60F2 — высоковольтный N-канальный MOSFET от WAYON, предназначенный для работы в мощных импульсных и коммутационных схемах. Транзистор обеспечивает низкий Rds(on), высокую импульсную выносливость (Idm), устойчивость к перенапряжениям и высокую эффективность в схемах инверторов, источников питания, преобразователей и силовых модулей.

Тип транзистора: N-MOSFET, unipolar
Технология: WMOS™ F2
Корпус: TO-247-3 (THT)
Предельное напряжение сток-сток (Vds): 600 V
Максимальный ток стока (Id): 45 A
Пульсирующий ток стока (Idm): 245 A
Мощность рассеяния (Pd): 410 W
Напряжение затвор-сток (Vgs): ±30 V
Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 44 mΩ
Заряд затвора (Qg): 103 nC
Тип канала: enhancement (с инверсией)
Монтаж: THT (выводной)

Транзистор WMJ80N60F2 используется в высоковольтных силовых преобразователях, инверторах, источниках бесперебойного питания (UPS), зарядных станциях, импульсных источниках питания, схемах коммутации больших токов, электродвигательных драйверах, промышленных контроллерах, PFC-модулях и другом оборудовании, где требуется надежная и эффективная работа N-канального MOSFET в диапазоне до 600 В и нагрузках до 45–245 А.