|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Мощный транзистор JT030N065FED выполнен по технологии IGBT и предназначен для высоковольтных и высокочастотных схем. Обеспечивает высокую эффективность коммутации, сочетая низкие потери проводимости и быстрое переключение. Выполняется в корпусе TO-247, что удобно для монтажа радиатора.
Производитель: HWdz (HuaWei Electronics)
Тип: IGBT
Корпус: TO-220F
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 650 V
Максимальный ток коллектора (Ic): 30 A
Транзистор JT030N065FED используется в инверторах и источниках бесперебойного питания, DC-DC и DC-AC преобразователях, а также в промышленном оборудовании и системах управления мощностью.
Datasheet: https://www.topdiode.com/pdf/TJT030N065WED-Topdiode.pdf