|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Транзистор HY5110W – мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, предназначенный для коммутации высоких токов в источниках питания, инверторах, преобразователях и других силовых электронных схемах. Обеспечивает низкое сопротивление каналу и высокую производительность при работе с большими нагрузками.
Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Корпус: TO-247.Напряжение пробоя сток-утечка (V(BR)DSS): 100 В
Напряжение затвор-утечка (Vgs): ±25 В
Постоянный ток стока: 316 А при 25°C, 214 А при 75–100°C.Сопротивление сток-утечка (Rds(on) при 25°C, Vgs=10V): 2,1 мОм
Мощность рассеяния (Pd при 25°C): 500 Вт
Datasheet: https://oneparts.net.ua/content/files/datasheet-hy5110w-2617908.PDF