WMJ80N60F2 — високовольтний N-канальний MOSFET від WAYON, призначений для роботи у потужних імпульсних та комутаційних схемах. Транзистор забезпечує низький Rds(on), високу імпульсну витривалість (Idm), стійкість до перенапруг та високу ефективність у схемах інверторів, джерел живлення, перетворювачів і силових модулів.

Тип транзистора: N-MOSFET, unipolar
Технологія: WMOS™ F2
Корпус: TO-247-3 (THT)
Гранична напруга стік-витік (Vds): 600 V
Максимальний струм стоку (Id): 45 A
Пульсовий струм стоку (Idm): 245 A
Потужність розсіювання (Pd): 410 W
Напруга затвор-витік (Vgs): ±30 V
Опір відкритого каналу (Rds(on)): 44 mΩ
Заряд затвора (Qg): 103 nC
Тип каналу: enhancement (з інверсією)
Монтаж: THT (вивідний)

Транзистор WMJ80N60F2 використовується у високовольтних силових перетворювачах, інверторах, джерелах безперебійного живлення (UPS), зарядних станціях, імпульсних джерелах живлення, схемах комутації великих струмів, електродвигунних драйверах, промислових контролерах, PFC-модулях та іншому обладнанні, де потрібна надійна та ефективна робота N-канального MOSFET у діапазоні до 600 В і навантаженнях до 45–245 А.