MOSFET-транзистор CRJQ80N65F — 650 V, 43 A, 77 mΩ, TO-247

Виробник: CRMicro
Модель: CRJQ80N65F
Тип: N-канальний SJMOS MOSFET
Корпус: TO-247

Напруга стік-витік (V_DS): 650 В
Номінальний струм стоку (I_D): 43 A (при T_C = 25 °C)
Струм стоку при T_C = 100 °C: 33.7 A
Опір увімкненого каналу (R_DS(on), тип.): 77 mΩ
Максимальна потужність розсіювання (P_tot): 470 W (при T_C = 25 °C)
Максимальний імпульсний струм (I_D pulse): 172 A
Температурний діапазон роботи: –55…+150 °C
Технологія: CRM(CQ) Super_Junction (для поліпшеного R_on × A та кращого FOM)
Діод (body diode): Forward Voltage ≈ 0.7–1.2 В, час відновлення ~113 нс

MOSFET CRJQ80N65F широко застосовується в інверторах та перетворювачах DC ↔ AC, у зарядних станціях та системах акумуляторного зберігання енергії, а також підходить для ремонту портативних електростанцій EcoFlow та аналогічних пристроїв. Завдяки високим електричним характеристикам він використовується у джерелах живлення (SMPS, PFC коректори) та різних рішеннях промислової силової електроніки, забезпечуючи надійність і стабільність роботи обладнання.